This fast-response silicon photodiode provodes a 2.326 mm2有源区域，设计用于400nm和1100nm之间的光谱响应。
我们的一系列快速响应光电二极管设计用于低结电容，以实现快速响应时间，并且可以在反向偏置下操作以降低电容，以进一步提高响应速度。如果响应速度对使用它们的应用不重要，这些光电二极管也可以以光伏模式操作。
这些器件在IR光谱范围内具有出色的响应，并且与Excelitas红外LED VTE系列相匹配。
特点与优势：
- 在IR光谱范围附近可见
- 1 to 2% linearity over 7 to 9 decades
- 低暗电流
- 高分流抵抗力
- 低电容
- 反应快
- 高反向电压额定值
- RoHS compliant
必威平台怎么样应用程序：
- Smoke detection
- 条形码扫描
- Light meters
- Pulse oximeters
Active area = 2.326 mm2
短路电流= 100 FC，2850 K的最小100μA
Responsivity = Minimum 0.06 A/(W/cm2），880nm
Dark Current = Maximum 25 nA at 10 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Maximum 0.3 nF at 0 V Bias
光谱范围= 400nm至1100nm
Peak Spectral Response = 920 nm
峰值波长=典型0.60 A / W的灵敏度
Angular Response = ±20 Degrees at 50 % Response
Active area = 2.326 mm2
短路电流= 100 FC，2850 K的最小100μA
Responsivity = Minimum 0.06 A/(W/cm2），880nm
Dark Current = Maximum 25 nA at 10 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Maximum 0.3 nF at 0 V Bias
光谱范围= 400nm至1100nm
Peak Spectral Response = 920 nm
峰值波长=典型0.60 A / W的灵敏度
Angular Response = ±20 Degrees at 50 % Response