VTE1291-1H-IRED，T-1¾（5mm）塑料封装，20mW，波束角±12°
The VTE1291-1H is a GaAlAs Infrared Emitting Diode in a lensed, plastic package with a narrow beam angle. This 880nm GaAlAs infrared emitting diode (IRED) is mounted in a T 1 ¾ (5mm diameter) lensed plastic package. This IRED has a narrow emission beam profile suitable for smoke detection, IR illumination and optical switching applications.
这种红外发射二极管可以在直流模式或脉冲模式下工作。当某些应用需要更高的光输出功率时，使用脉冲模式。必威平台怎么样
Features and benefits:
- 窄光发射带宽
- 根据UL文件S3506批准用于烟雾探测应用必威平台怎么样
- 符合RoHs
必威平台怎么样应用：
- Smoke detection
- 红外照明
- Optical Switching
- Consumer coin readers
- Lottery card readers
- Position sensors
- Encoders
- 打印机和复印机
峰值发射波长=880 nm
正向电压降=100 mA驱动电流下的最大2.0 V
Reverse Leakage Current = Maximum 10 μA at 5 V Reverse Voltage
总输出功率=100 mA驱动电流下的典型20 mW（脉冲）
Irradiance = Minimum 2.5 mW/cm2, Typical 3.3 mW/cm2在100 mA驱动电流下，试验条件：距离=36 mm，孔径=6.4 mm
峰值正向工作电流（脉冲）=100 Hz时最大2.5 A，10μs脉冲
Continuous Operating Current = Maximum 100 mA at 25°C
上升/下降时间=20 mA驱动电流下的典型1μs
半功率束角=半高宽时的典型±12°
铅焊接温度=最高260°C，距离外壳1.6 mm，最长5秒
峰值发射波长=880 nm
正向电压降=100 mA驱动电流下的最大2.0 V
Reverse Leakage Current = Maximum 10 μA at 5 V Reverse Voltage
总输出功率=100 mA驱动电流下的典型20 mW（脉冲）
Irradiance = Minimum 2.5 mW/cm2, Typical 3.3 mW/cm2在100 mA驱动电流下，试验条件：距离=36 mm，孔径=6.4 mm
峰值正向工作电流（脉冲）=100 Hz时最大2.5 A，10μs脉冲
Continuous Operating Current = Maximum 100 mA at 25°C
上升/下降时间=20 mA驱动电流下的典型1μs
半功率束角=半高宽时的典型±12°
铅焊接温度=最高260°C，距离外壳1.6 mm，最长5秒