C86119EH器件采用MOCVD生长的应变InGaAs/AlGaAs层，提供高效率、低阈值和约0.3nm/⁰C的连续波长调谐，以确保在1064nm处的精确控制。
使用10/32螺纹同轴螺柱包装，带有气密密封的窗盖，或者可选地，带有可拆卸的临时窗，以便随时接近激光面。
- 1064 nm操作
- 温度可调
- 从窗口输出1W峰值功率
- 工作到200纳秒脉冲宽度和5千赫重复率
光源尺寸（µm）：2 x 100
平行于交叉点的平面内波束扩展（°）：4.5
垂直于交叉点的平面内的波束扩展（°）：38
iFmax时的最小总峰值辐射通量（mW）：1000
峰值正向电流，iFM（A）：4
iFmax（V）时的典型正向电压降：2.5
iFmax（V）时的最大正向电压降：3.0
阈值电流，iTH（A）：0.25
典型上升时间，tr（ns）：小于1
最大峰值正向电流，iFM（A）：4
最大峰值反向电压，VRM（V）：2
最大脉冲持续时间，tW（ns）：200
最大占空因数，du（%）：0.1
储存温度（°C）：-55至125
工作温度（°C）：-55至125
光源尺寸（µm）：2 x 100
平行于交叉点的平面内波束扩展（°）：4.5
垂直于交叉点的平面内的波束扩展（°）：38
iFmax时的最小总峰值辐射通量（mW）：1000
峰值正向电流，iFM（A）：4
iFmax（V）时的典型正向电压降：2.5
iFmax（V）时的最大正向电压降：3.0
阈值电流，iTH（A）：0.25
典型上升时间，tr（ns）：小于1
最大峰值正向电流，iFM（A）：4
最大峰值反向电压，VRM（V）：2
最大脉冲持续时间，tW（ns）：200
最大占空因数，du（%）：0.1
储存温度（°C）：-55至125
工作温度（°C）：-55至125