900nm."> C30954EH - SI APD,0.8mm,至5包装|excelitas. - 必威188体育,betway网页登录,必威平台怎么样
C30954EH  -  SI APD,0.8mm,至-5包装
part / c30954eh

C30954EH - SI APD,0.8mm,至-5包装

C30954EH长波长,增强型硅雪崩光电二极管(SI APD)在1060nm处提供0.8mm的有源区域直径和高量子效率。该SI APD设计在A至5封装中,使用双扩散的“迁至通过”结构进行。它的长波响应> 900nm的长波响应已经提高,而不会引入任何不希望的性质。

特点与优势:

  • 主动直径0.8mm.
  • High-quantum efficiency at 1060 nm
  • Fast-response time
  • 宽工作温度范围
  • 低电容
  • 密封包装
  • 符合rohs
  • TEC选项可用

必威平台怎么样应用程序:

  • Range finding
  • 莱达
  • YAG激光检测

活动面积:0.5mm²
主动直径:0.8毫米
Breakdown Voltage: >300, 375, <475 V
电容:2PF.
Dark Current: 50nA
收益:120
噪声电流:1 PA /√Hz
Package: TO-5
峰灵敏度波长:900 nm
Responsivity:

  • 75 a / w 900 nm,
  • 36 A/W at 1050 nm,
  • 5 A/W at 1150 nm

Rise/Fall Time: 2ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
VOP范围:275-450 V.
波长:400-1100 nm

活动面积:0.5mm²
主动直径:0.8毫米
Breakdown Voltage: >300, 375, <475 V
电容:2PF.
Dark Current: 50nA
收益:120
噪声电流:1 PA /√Hz
Package: TO-5
峰灵敏度波长:900 nm
Responsivity:

  • 75 a / w 900 nm,
  • 36 A/W at 1050 nm,
  • 5 A/W at 1150 nm

Rise/Fall Time: 2ns
Temperature Coefficient: 2.4 V/°C
VOP范围:275-450 V.
波长:400-1100 nm

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