Excelitas C30916EH - Si APD, 1.5mm, TO-5 Low-Profile
paRT/ C30916EH

C30916EH - SI APD,1.5mm,至5个低调

The C30916EH Large-Area Silicon Avalanche Photodiode provides a 1.5 mm active area diameter in TO-5 housing.

Excelitas C30916EH是一种使用双扩散的“通过”结构制造的通用硅雪崩光电二极管。该结构在400至1000nm之间提供高响应度,并且在所有波长上极其快速上升和下降时间。

特点与优势:

  • 低噪声
  • 高增益
  • High quantum efficiency
  • 内置Te-Cooler选项

必威平台怎么样应用程序:

  • 激光范围探索
  • 莱达
  • 自由空间通讯
  • 年代pectrophotometers
  • 荧光检测

活动面积:1.7mm²
主动直径:1.5毫米
击穿电压:> 315,390,<490 V
Capacitance: 3pF
暗电流:100纳
收益:80
NEP:20 FW /√Hz
Package: TO-5
峰灵敏度波长:900 nm
响应性:> 50 A / W在900nm,12a / w 1060nm
Rise/Fall Time: 3 ns

活动面积:1.7mm²
主动直径:1.5毫米
击穿电压:> 315,390,<490 V
Capacitance: 3pF
暗电流:100纳
收益:80
NEP:20 FW /√Hz
Package: TO-5
峰灵敏度波长:900 nm
响应性:> 50 A / W在900nm,12a / w 1060nm
Rise/Fall Time: 3 ns

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