Excelitas C39737ph在FR4 LLC封装中的硅APD。
部分/ C30737MH-230-80N

C30737MH-230-80N - SI APD,230UM,LLC,800NM增强

C30737MH-230-80N硅雪崩光电二极管(SI APD)提供增强的800nm响应,其在无引线叠层载体(LLC)中具有230μm的有源直径。

主要特征:

  • 500到1000 nm之间的高响应度
  • 在所有波长的低噪声和极快的上升时间,频率响应高于1.5 GHz
  • 主动直径为230μm,优化800nm峰敏感性。
  • 无侵入式层压载体选项“MH”

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主动直径:230μm
峰灵敏度波长:800 nm
击穿电压VBD:120-210(分箱可用)
VOP温度系数M:0.5 V /°C
收益:100 @ 800nm
响应度:800 nm的50 a / w
暗电流ID:0.05 <0.5 NA
噪声电流:0.1 PA /√Hz
电容:1 PF
上升/下降时间:0.2 ns r load =50Ω
截止频率:1.5 GHz
存储温度:-50°C至+ 100°C
操作温度:-40°C至+ 85°C
包装:2x1.75mm顶视图fr4环氧树脂,无侵扰夹层载体(LLC)

主动直径:230μm
峰灵敏度波长:800 nm
击穿电压VBD:120-210(分箱可用)
VOP温度系数M:0.5 V /°C
收益:100 @ 800nm
响应度:800 nm的50 a / w
暗电流ID:0.05 <0.5 NA
噪声电流:0.1 PA /√Hz
电容:1 PF
上升/下降时间:0.2 ns r load =50Ω
截止频率:1.5 GHz
存储温度:-50°C至+ 100°C
操作温度:-40°C至+ 85°C
包装:2x1.75mm顶视图fr4环氧树脂,无侵扰夹层载体(LLC)

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