Excelitas C30659-900-R5BH Silicon APD接收器
部分/ C30659-900-R5BH

C30659-900-R5BH - SI APD接收器,0.5mm,至8,200MHz

C30659系列包括硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD),其具有混合前置放大器,在相同的气密密封到-8封装,以允许超低噪声操作。我们的C30659-900-R5BH器件具有C30902EH SI APD,峰值响应为900nm和0.5mm的有源直径。

Excelitas C30659系列采用反相放大器设计,具有用于输出缓冲级的发射器跟随器。

这些装置中使用的SI APD与Excelitas的C30817EH,C30902EH,C30954EH和C30956EH产品中使用的SI APDS相同,而InGaAs APD可用于C30645EH和C30662EH产品。betway网页登录这些探测器在830和1550nm之间提供了非常好的响应,并且在所有波长上都非常快速地升起和落后。模块的前置放大器部分使用非常低噪声GaAs FET前端,该前端旨在以比我们标准的C30950系列更高的跨阻抗操作。

  • 系统带宽:200 MHz
  • 超低噪声等效电源(NEP):
    • 830 nm的35 fw /√hz
    • 900 nm的40 fw /√hz
  • 光谱响应范围:400至1100 nm
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50Ω交流负载能力(交流耦合)
  • 密封到-8包装
  • 高可靠性
  • 系统带宽:200 MHz
  • 超低噪声等效电源(NEP):
    • 830 nm的35 fw /√hz
    • 900 nm的40 fw /√hz
  • 光谱响应范围:400至1100 nm
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50Ω交流负载能力(交流耦合)
  • 密封到-8包装
  • 高可靠性
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