Excelitas C30659-1550-R2AH InGaAs APD Receiver
部分/ C30659-1550-R2AH

C30659-1550-R2AH - InGaAs APD Receiver, 200um, TO-8, 50MHz

C30659系列包括硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD),其具有混合前置放大器,在相同的气密密封到-8封装,以允许超低噪声操作。我们的C30659-1550-R2AH装置具有C30662EH InGaAS APD,在1550nm处优化。

The C30659 Series features an inverting amplifier design with an emitter follower used as an output buffer stage.

这些装置中使用的SI APD与Excelitas的C30817EH,C30902EH,C30954EH和C30956EH产品中使用的SI APDS相同,而InGaAs APD可用于C30645EH和C30662EH产品。betway网页登录这些探测器在830和1550nm之间提供了非常好的响应,并且在所有波长上都非常快速地升起和落后。该模块的前置放大器部分使用非常低的噪声GaAs FET前端,该前端旨在以比我们标准的C30950系列更高的跨阻抗操作。

  • System bandwidth: 50 MHz
  • Ultra low noise equivalent power (NEP)
    • 150 fw /√hz,1300 nm
    • 1550 nm的130 fw /√hz
  • 光谱响应范围:1550 nm的峰值
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50Ω交流负载能力(交流耦合)
  • Hermetically-sealed TO-8 package
  • 高可靠性

  • System bandwidth: 50 MHz
  • Ultra low noise equivalent power (NEP)
    • 150 fw /√hz,1300 nm
    • 1550 nm的130 fw /√hz
  • 光谱响应范围:1550 nm的峰值
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50Ω交流负载能力(交流耦合)
  • Hermetically-sealed TO-8 package
  • 高可靠性

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