高性能Si-apd

高性能后进式“穿透式”硅APD在成本和性能方面为需要从400 nm到1100 nm的高速低噪声光子探测的应用提供了最佳折衷方案。这些Si-apd具有低噪声、高量子效率和高增益,同时保持合理的低工作电压。有效面积从0.5毫米到3毫米不等。必威平台怎么样

Excelitas C30902系列高性能Si APD

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