零件号
C30927eh-0 ......
C30927EH-01 - SI APD象限 - 1.5 mm - 1060nm
具有1.55mm有用直径的C30927EH-01象限硅雪崩光电二极管具有双扩散的“达到的”结构。
APD象限
Excelitas C30927雪崩光电二极管（APD）阵列和象限利用双扩散的“迁至通达”结构，基本上消除了像素之间的死区以获得最佳性能。该结构在400-1000nm处提供超高敏感性。三种不同的变体根据有趣的峰值操作波长提供，包括800,900和1060nm。
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C30927eh-0 ......
C30927EH-02 SI APD象限 - 1.5mm - 900nm
C30927EH-02象限硅雪崩光电二极管，其有用直径为1.55毫米，具有双扩散的“达到的”结构。象限结构具有普通的雪崩结，分离通过与结相反的光进入P +表面进行的偏振分离。通过这种设计，元件之间没有死区，因此在触觉上没有响应的损失。C30927EH-02优化以在900nm处运行，在特定波长的约50nm内操作时提供高响应度和优异性能。
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C30927eh-0 ......
C30927EH-03 - SI APD象限 - 1.5mm - 800nm
C30927eh-03象限硅雪崩光电二极管，具有1.55mm的有用直径，设计具有双扩散的“达到”结构。象限结构具有普通的雪崩结，分离通过与结相反的光进入P +表面进行的偏振分离。在这种设计中，元件之间没有死区，因此在绝经中没有响应损失。C30927EH-03优化以在800nm处工作，提供高响应度和在特定波长约50nm内操作的优异性能。