零件号
C30954EH型
C30954EH-Si APD，0.8mm，TO-5封装
C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管（siapd）提供了0.8mm的有效面积直径和1060nm的高量子效率。设计在一个TO-5封装，这硅APD是使用双扩散“通过”结构。它的长波响应>900nm得到了增强，而没有引入任何不良特性。
1064nm长波长增强硅光电二极管
1064nm长波长增强型Si-apd（C30954EH、C30955EH和C30956EH）采用双扩散“穿透”结构。这些光电二极管的设计使得它们的长波响应（即>900nm）得到增强而不引入任何不期望的特性。这些apd在1060nm处的量子效率高达40%。
产品清单
零件号
C30955EH型
C30955EH-Si APD，1.5mm，TO-5封装
C30955EH长波长增强型硅雪崩光电二极管（APD）提供了1.5毫米的有源区直径和1060纳米的高量子效率。设计在一个TO-5封装，这硅APD是使用双扩散“通过”结构。它的长波响应>900nm得到了增强，而没有引入任何不良特性。
零件号
C30956EH型
C30956EH-Si APD，3mm，TO-8包装
C30956EH大面积、长波长增强型硅雪崩光电二极管（Si-APD）提供了直径为3mm的有源区，在1060nm处具有较高的量子效率。设计在一个TO-8封装，这硅APD是使用双扩散“通过”结构。它的长波响应>900nm得到了增强，而没有引入任何不良特性。